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교수진소개

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조중열
이름
조중열
학력
박사
전공
전자공학전공(과)
정보
연구실 :
원천관 207

연구실번호 :
2641

이메일 :
jungyol@ajou.ac.kr

연구관심분야 :
산화물 반도체, 디스플레이

홈페이지 :
학력
졸업연도/학교/학위
1993.01 Princeton Univ 박사
논문 및 연구활동
연구활동(주요논문)
  • [논문] ZnO Thin-Film Transistor Grown by rf Sputtering Using Carbon Dioxide and Substrate Bias Modulation (JOURNAL OF NANOMATERIALS) - 2014.11
    조중열, 맹군, YU MENG, 유덕연, 강두원, 김정환, 이동훈
  • [논문] Incomplete oxidation in back channel of GaInZnO thin-film transistor grown by rf sputtering (EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS) - 2011.04
    조중열, 정재관, 서오권
  • [논문] Acceptor behavior of N2O in MOCVD-grown ZnO thin-film transistors (PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS) - 2010.07
    조중열, 김해미, 윤준호, 서오권
  • [논문] Improvement of on/off ratio in ZnO thin-film transistor by using growth interruptions during metalorganic chemical vapor deposition (Thin Solid Films) - 2009.10
    조중열, 최효식, 서오권, 윤준호, 이병곤, 김해미
  • [논문] Enhancement mode ZnO thin-film transistor grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition (Applied Physics Express) - 2008.04
    조중열, 최효식, 이병곤, 서오권
특허 및 기타
  • [특허] ZnO 필름 및 이를 이용한 TFT의 제조방법 (등록) (10-1186297) - 2012.09
    조중열, 서오권
  • [특허] ZnO 필름 및 이것을 이용한 TFT의 제조 방법 (등록) (JP 4977478) (R0420JP) - 2012.04
    조중열, 서오권
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